在半导体行业工艺技术性工艺技术性中，概念都是种多晶硅硅产生技术性的CVD。其基本原理是充分灵活运用特气系统的中特气地埋管和光学特气柜等特气设配，将含硅的特种车辆有机废气气体（SiH4 或SiCI4或SiH2CI2等）应急平衡的气流输送去温度高(> 1100℃)的衬底上充分灵活运用氢（H2）在衬底上用展现反响溶解多晶硅硅硅的方式 。

外延工艺的优点：

①　以减少并联电阻功率计算电阻功率；②　可以操作概念层中的溶物地域分布；③　可不可以用多种浓度值和导电类别的硅衬底上认为的蓄意地实施参杂，以足够配件造型繁多的标准。

外延设备及所用的气体:

物理化学液相概念发育动用的设施设备装备大多数称呼概念发育反映炉。一半重点由液相调控体统、電子调控体统、反映炉主休、排气管体统四部位主成。

在半导体外延工艺中，气体控制系统指的就是超高纯电子特气系统，以下简称特气系统。特气系统以耐腐蚀的EP管、气体泄漏监测报警系统、高精度的质量流量计以及特气设备如拥有SEMI S2认证和自动吹扫、自动切换以及紧急情况下的自动安全切断等功能的电子特气柜，来保证外延生长工艺中特种气体的安全稳定输送。

上述情况经验，特气程序中自动化特气柜为半导体资料外延性衍生工艺技术出示的很安全维持的混合气体原资料料（如硅烷和二氯二氢硅等），保证质量制造的的很安全以其制造率和良品率。最好，感谢的话语您的阅续！